IPP072N10N3G, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 150Вт 0.0127Ом [TO-220.]
![IPP072N10N3G, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 150Вт 0.0127Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001633715
- Артикул
- IPP072N10N3G
- Бренд
- Youtai Semiconductor (UMW)
- Вес, г
- 2
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 99 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12.7 мОм/40А, 6В |