Моя заявка (0)

IPP062NE7N3 G, 75V 80A 6.2mOhm@10V,73A 136W N Channel TO-220-3 MOSFETs

IPP062NE7N3 G, 75V 80A 6.2mOhm@10V,73A 136W N Channel TO-220-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025233925
Артикул
IPP062NE7N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.94
Длина
10 mm
Серия
OptiMOS 3
Высота
15.65 mm
Цена по запросу
(от 114,32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Технические параметры

Вес, г2.94
Длина10 mm
СерияOptiMOS 3
Высота15.65 mm
КорпусTO-220
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Power Dissipation (Pd)136W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Continuous Drain Current (Id)80A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора42 nC
Время нарастания48 nS
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности136 W
Другие названия товара №IPP62NE7N3GXK SP000819768 IPP062NE7N3GXKSA1
Id - непрерывный ток утечки80 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
Пороговое напряжение на затворе3.8V@70uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения24 nS
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт136
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.2mΩ@10V, 73A

Техническая документация