OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP057N06N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016823560
- Артикул
- IPP057N06N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- Case
- PG-TO220-3
- PPAP
- No
- Series
- OptiMOS™
Цена по запросу
(от 453 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | PG-TO220-3 |
| PPAP | No |
| Series | OptiMOS™ |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | Single |
| Drain current | 80A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 115W |
| Process Technology | OptiMOS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5.7mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 60V |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 68 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 115000 |
| Qg - заряд затвора | 82 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0057 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| Время нарастания | 68 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5000 30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.7 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 115 W |
| Другие названия товара № | IPP057N06N3 G SP000680808 |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 115 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |