Моя заявка (0)

IPP057N06N3 G, 60V 80A 4.7mOhm@10V,80A 115W N Channel TO-220 MOSFETs

IPP057N06N3 G, 60V 80A 4.7mOhm@10V,80A 115W N Channel TO-220 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025234027
Артикул
IPP057N06N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
OptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г
3.13
Длина
10 mm
Серия
OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 78,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

Технические параметры

ТипOptiMOS 3 Power-Transistor
Вес, г3.13
Длина10 mm
СерияOptiMOS 3
Высота15.65 mm
КорпусTO-220
Ширина4.4 mm
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9 ns
Power Dissipation (Pd)115W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)61nC@0~10V
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-220-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)5nF@30V
Continuous Drain Current (Id)80A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора82 nC
Время нарастания68 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)38pF@30V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности115 W
Другие названия товара №IPP057N06N3GXKSA1 IPP57N6N3GXK SP000680808
Id - непрерывный ток утечки80 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе3V@58uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения32 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.47 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт115
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.7mΩ@10V, 80A

Техническая документация