Моя заявка (0)

IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3]

IPP055N03LGXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A [TO-220-3]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000433030
Артикул
IPP055N03LGXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.5
Корпус
to220
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
75
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP055N03LGXKSA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия (THT) на печатных платах. Он характеризуется током стока до 50 А и напряжением сток-исток 30 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Максимальная мощность устройства составляет 68 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0055 Ом способствует повышению эффективности. Транзистор упакован в прочный корпус PG-TO220-3-1, который облегчает установку и теплоотвод. Используя IPP055N03LGXKSA1 в своих электронных схемах, вы получаете надежный компонент от известного производителя INFINEON, предназначенный для работы в условиях высоких нагрузок. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 50 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 68 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0055 Корпус PG-TO220-3-1

Технические параметры

Вес, г2.5
Корпусto220
СтруктураN-Channel
Крутизна характеристики, S75
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0055 ом при 30a, 10в

Техническая документация