OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin TO-220 IPP055N03LGXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009710040
- Артикул
- IPP055N03LGXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- OptiMOS3
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP055N03LGXKSA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия (THT) на печатных платах. Он характеризуется током стока до 50 А и напряжением сток-исток 30 В, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне применений. Максимальная мощность устройства составляет 68 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0055 Ом способствует повышению эффективности. Транзистор упакован в прочный корпус PG-TO220-3-1, который облегчает установку и теплоотвод. Используя IPP055N03LGXKSA1 в своих электронных схемах, вы получаете надежный компонент от известного производителя INFINEON, предназначенный для работы в условиях высоких нагрузок. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 50 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 68 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0055 Корпус PG-TO220-3-1
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | OptiMOS3 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 4 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 68 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.8 mΩ |
| Время нарастания | 5.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 68000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 31 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 31@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 50 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2400@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.5@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Другие названия товара № | IPP055N03L G SP000680806 |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Крутизна характеристики, S | 75 |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 38 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |