Моя заявка (0)

IPP051N15N5AKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 115А, Idm: 480А, 300Вт

IPP051N15N5AKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 115А, Idm: 480А, 300Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039050773
Артикул
IPP051N15N5AKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
37 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
5.3 ns
Цена по запросу
(от 500,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS обладает ультрасовременным режимом R DS (on) траншейного МОП-транзистора в сочетании с широкой безопасной рабочей зоной классического плоского МОП-транзистора.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:37 ns
Packaging:Tube
Rise Time:5.3 ns
Вес, г2.8
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPP051N15N5 SP001279600
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:80 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:19.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:4.5 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:59 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация