Моя заявка (0)

IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3

IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070064104
Артикул
IPP048N12N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO220-3
Mounting
THT
Technology
OptiMOS™ 3
Вес, г
2.07
Цена по запросу
(от 660 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP048N12N3GXKSA1 от производителя INFINEON представляет собой надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С рассеиваемой мощностью в 300 Вт и током стока до 120 А, этот транзистор гарантирует высокую производительность в широком диапазоне применений. Напряжение сток-исток составляет 120 В, что делает его подходящим для среднего напряжения. Кроме того, сопротивление в открытом состоянии всего 0,0048 Ом способствует эффективной и экономичной работе. Устройство заключено в прочный корпус PG-TO220-3, который обеспечивает надежность и долговечность. Для заказа используйте упрощенный код IPP048N12N3GXKSA1, который упростит процесс покупки. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 120 Напряжение сток-исток, В 120 Мощность, Вт 300 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0048 Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

CasePG-TO220-3
MountingTHT
TechnologyOptiMOS™ 3
Вес, г2.07
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationunipolar
Drain current120A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation300W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.8mΩ
Drain-source voltage120V

Техническая документация