Моя заявка (0)

IPP048N12N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP048N12N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292832
Артикул
IPP048N12N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO220-3
Mounting
THT
Technology
OptiMOS™ 3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 556 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP048N12N3GXKSA1 от производителя INFINEON представляет собой надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С рассеиваемой мощностью в 300 Вт и током стока до 120 А, этот транзистор гарантирует высокую производительность в широком диапазоне применений. Напряжение сток-исток составляет 120 В, что делает его подходящим для среднего напряжения. Кроме того, сопротивление в открытом состоянии всего 0,0048 Ом способствует эффективной и экономичной работе. Устройство заключено в прочный корпус PG-TO220-3, который обеспечивает надежность и долговечность. Для заказа используйте упрощенный код IPP048N12N3GXKSA1, который упростит процесс покупки. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 120 Напряжение сток-исток, В 120 Мощность, Вт 300 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0048 Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

CasePG-TO220-3
MountingTHT
TechnologyOptiMOS™ 3
Вес, г1
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationunipolar
КорпусTO-220
Drain current120A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation300W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.8mΩ
Drain-source voltage120V
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация