Транзистор полевой IPP045N10N3GXKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727622
- Артикул
- IPP045N10N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 88 nC
- RoHS
- Details
- Type
- Power MOSFET
- Brand
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 285,05 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
Технические параметры
| Q(g) | 88 nC |
| RoHS | Details |
| Type | Power MOSFET |
| Brand | Infineon Technologies |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 4.4 mm |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| P(tot) | 214 W |
| Series | OptiMOS 3 |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.7 K/W |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Fall Time | 14 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 59 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Automotive | NO |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| RDS(on)at 10V | 4.2 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part # Aliases | G IPP045N10N3 IPP45N1N3GXK SP000680794 |
| I(D)at Tc=25°C | 100 A |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 117 nC |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 214(W) |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Elements | 1 |
| Drain-Source On-Res | 0.0045(ohm) |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 14 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 100(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 27 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 73 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 117 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mO |
| Время нарастания | 59 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 137 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Другие названия товара № | IPP045N10N3GXKSA1 IPP45N1N3GXK SP000680794 |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Типичное время задержки выключения | 48 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |