IPP041N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070064095
- Артикул
- IPP041N12N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.08
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP041N12N3GXKSA1 от производителя INFINEON – надежный компонент для силовой электроники. Предназначен для монтажа THT, этот N-MOSFET транзистор обладает током стока до 120 А и напряжением сток-исток до 120 В. Мощность устройства составляет 300 Вт, что делает его идеальным для применения в высокопроизводительных схемах. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,0041 Ом обеспечивает высокую эффективность и минимальные энергетические потери. Устройство выпускается в корпусе PG-TO220-3, что гарантирует легкость установки и надежность использования. Используйте IPP041N12N3GXKSA1 для улучшения характеристик ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 120 Напряжение сток-исток, В 120 Мощность, Вт 300 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0041 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 158 nC |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |