Моя заявка (0)

IPP039N10N5AKSA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Through Hole

IPP039N10N5AKSA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001887955
Артикул
IPP039N10N5AKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 609 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-CH, 100 В, 175°C, 188 Вт СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ ROHS: ДА

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation188Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.0032Ом
Maximum Continuous Drain Current100 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность188Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0032Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0032 Ом

Техническая документация