IPP039N04LGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001292767
- Артикул
- IPP039N04LGXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 4.572mm
- Series
- OptiMOS 3
- Mounting
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP039N04LGXKSA1 от производителя INFINEON - это высококачественный компонент для эффективного управления силовыми цепями. Модель обладает впечатляющим током стока в 80 А и надежно работает при напряжении сток-исток до 40 В. Этот транзистор спроектирован для монтажа THT, что облегчает его установку в различные типы печатных плат. Мощность устройства достигает 94 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0039 Ом, гарантирует высокую эффективность и минимальные потери энергии. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную защиту и удобство использования. Продукт с кодом IPP039N04LGXKSA1 идеально подходит для использования в различных электронных проектах, требующих компонентов с высокой производительностью и надежностью. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 94 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0039 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 4.572mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 94(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Res | 0.0039(ohm) |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 80(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 94 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |