IPP037N08N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022105600
- Артикул
- IPP037N08N3GXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO220-3
- Q(g)
- 88 nC
- V(DS)
- 80 V
- Width
- 4.57mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPP037N08N3GXKSA1 производства INFINEON – это качественный N-MOSFET, предназначенный для использования в различных электронных схемах. Модель отличается монтажом THT, что обеспечивает простоту установки на печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 100 А и работать при напряжении сток-исток до 80 В, что делает его подходящим для высокомощных применений. Мощность устройства составляет 214 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0037 Ом гарантирует высокую эффективность и минимальные энергопотери. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную работу и долговечность. Приобретая IPP037N08N3GXKSA1, вы получаете надежный компонент от известного производителя. Код товара для заказа: IPP037N08N3GXKSA1. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 80 Мощность, Вт 214 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0037 Корпус PG-TO220-3
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Q(g) | 88 nC |
| V(DS) | 80 V |
| Width | 4.57mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 214 W |
| Series | OptiMOS 3 |
| Package | TO-220 |
| R(thJC) | 0.7 K/W |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Mounting | THT |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Packaging: | Tube |
| Technology | OptiMOS 3 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 2.85 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 100A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 3.5 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 100 A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP037N08N3 G SP000680776 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 214W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 117 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3.7mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 80V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.6V@160uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |