Моя заявка (0)

IPP037N06L3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP037N06L3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293677
Артикул
IPP037N06L3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
59 nC
V(DS)
60 V
Width
15.95mm
P(tot)
167 W
Цена по запросу
(от 341 ₽)
Минимальный заказ: 223 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Q(g)59 nC
V(DS)60 V
Width15.95mm
P(tot)167 W
SeriesOptiMOSв(ў
PackageTO-220
R(thJC)0.9 K/W
FET TypeN-Channel
MountingTHT
PackagingTube
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Logic levelYES
Part StatusActive
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon Technologies
Package TypeTO-220
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V3.7 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-220-3
I(D)at Tc=25°C90 A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 93ВµA
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max)167W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220-3
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation167 W
Typical Gate Charge @ Vgs59 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79nC @ 4.5V
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance3.7 mΩ
Maximum Continuous Drain Current90 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C90A(Tc)

Техническая документация