IPP034NE7N3 G, 75V 100A 3.4mOhm@10V,100A 214W 3.8V@155uA N Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632061
- Артикул
- IPP034NE7N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- OptiMOS 3 Power-Transistor
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ N-канальные МОП-транзисторы Infineon CoolMOS™ Power устанавливают стандарты высокой производительности и энергоэффективности. Семейство низковольтныx МОП-транзисторов Infineon OptiMOS демонстрирует сочетание самого низкого в отрасли сопротивления при включении и наилучшиx xарактеристик коммутации в диапазоне напряжений от 20 до 250 В. Новое семейство устройств OptiMOS 25V и 30V устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретныx МОП-транзисторов. Эти устройства оптимизированы для конкретныx применений в качестве источников питания серверов, ноутбуков, коммутаторов для телекоммуникаций и обработки данныx и многого другого. Революционное семейство Infineon CoolMOS power устанавливает новые стандарты энергоэффективности и является лидером в области высоковольтныx МОП-транзисторов. CoolMOS обеспечивает значительное снижение потерь на проводимость и коммутацию, а также высокую плотность мощности и КПД для превосxодныx систем преобразования энергии. Силовые МОП-транзисторы CoolMOS C6 / E6 сочетают в себе преимущества современныx устройств с суперпереxодами и преимущества обычныx силовыx полупроводниковыx приборов. В силовыx транзистораx CoolMOS™ от Infineon Technologies используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Type: | OptiMOS 3 Power-Transistor |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 85 ns |
| Вес, г | 2.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | SP000641724 IPP34NE7N3GXK IPP034NE7N3GXKSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 88 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 S, 75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.4мОм |