Моя заявка (0)
IPP033N03LF2SAKSA1, MOSFETs IR FET UP TO 60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035453194
Артикул
IPP033N03LF2SAKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 168,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В, 25 А (Ta), 78 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 83 Вт (Tc) Со сквозным отверстием PG-TO220-3-U05

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 40µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.8W(Ta), 83W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220-3-U05
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A(Ta), 78A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В