Моя заявка (0)

IPP030N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В

IPP030N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048171699
Артикул
IPP030N10N3GXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOSв„ў ->
Цена по запросу
(от 414,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 100 А (Tc) 300 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO220-3

Технические параметры

CasePG-TO220-3
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesOptiMOSв„ў ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
MountingTHT
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1.66
RoHS StatusROHS3 Compliant
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationunipolar
REACH StatusREACH Unaffected
Drain current100A
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation300W
Type of transistorN-MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 275ВµA
Base Product NumberIPP030 ->
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3mΩ
Drain-source voltage100V
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Supplier Device PackagePG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14800pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100A (Tc)

Техническая документация