IPP023N04NGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001210583
- Артикул
- IPP023N04NGXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPP023N04N G SP000680762 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |