IPP022N12NM6AKSA1, MOSFETs IFX FET 100-150V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030501855
- Артикул
- IPP022N12NM6AKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 23.6 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 22.7 ns
Цена по запросу
(от 752,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 23.6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22.7 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Вес, кг | 1.1 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | IPP022N12NM6 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 113 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 203 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.6 mOhms |