Моя заявка (0)
IPP019N08NF2SAKMA1, MOSFETs IFX FET 60-80V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007236481
Артикул
IPP019N08NF2SAKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TO220-3
Series
IPP019N08NF2S
Mounting
THT
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 330,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon IPP019N08NF2S - это N-канальный силовой МОП-транзистор. Напряжение стока-истока этого моп-транзистора составляет 80 В.

Технические параметры

CasePG-TO220-3
SeriesIPP019N08NF2S
MountingTHT
Pin Count3
TechnologyStrongIRFET™ 2
Gate charge124nC
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Polarisationunipolar
Вес, кг1.55
Drain current147A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhancement
Kind of packagetube
Power Dissipation250Вт
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.9mΩ
Drain-source voltage80V
Pulsed drain current764A
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Drain Source On State Resistance0.0017Ом
Maximum Continuous Drain Current32 A
Линейка ПродукцииStrongIRFET 2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока191А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация