Моя заявка (0)

IPP015N04NGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP015N04NGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001037439
Артикул
IPP015N04NGXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 609 ₽)
Минимальный заказ: 135 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 120A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-220

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г6
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)13
Typical Rise Time (ns)10
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)250000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)188
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)188@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)40
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)64
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)15000@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1.5@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)400
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация