Моя заявка (0)

IPN95R2K0P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Surface Mount

IPN95R2K0P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000571135
Артикул
IPN95R2K0P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS™
Pin Count
3
Вес, г
0.004
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 164 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPN95R2K0P7, SP001821834

Технические параметры

SeriesCoolMOS™
Pin Count3
Вес, г0.004
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation7Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance2 Ω
Drain Source On State Resistance1.71Ом
Maximum Continuous Drain Current4 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4А
Рассеиваемая Мощность7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds950В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.71Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.71 Ом

Техническая документация