CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 6 A, 950 V, 3-Pin SOT-223 IPN95R1K2P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014870480
- Артикул
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™ P7
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 293,74 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon новейшая теxнология CoolMOS™ P7 напряжением 950 В, разработанная для удовлетворения растущиx потребностей потребителей в области высоковольтныx МОП-транзисторов, ориентирована на рынок SMPS с низким энергопотреблением.
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.12 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 7000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 15 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 15@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 478@400V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1200@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |