Моя заявка (0)

IPN80R600P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Surface Mount

IPN80R600P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000966148
Артикул
IPN80R600P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPN80R600P7, SP001665004

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г0.01
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation7.4Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.6 Ω
Drain Source On State Resistance0.51Ом
Maximum Continuous Drain Current8 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8А
Рассеиваемая Мощность7.4Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе3.5V@170uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.51Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт7.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)600mΩ@3.4A, 10V

Техническая документация