Моя заявка (0)

IPN80R4K5P7ATMA1, 800V 1.5A 6W 4.5Ohm@400mA,10V N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS

IPN80R4K5P7ATMA1, 800V 1.5A 6W 4.5Ohm@400mA,10V N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070106949
Артикул
IPN80R4K5P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
0.24
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 78,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г0.24
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6Вт
Power Dissipation (Pd)6W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)80pF@500V
Maximum Drain Source Voltage800 V
Continuous Drain Current (Id)1.5A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.45 Ω
Drain Source On State Resistance3.8Ом
Maximum Continuous Drain Current1.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока1.5А
Рассеиваемая Мощность6Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3.8Ом

Техническая документация