Моя заявка (0)

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1

CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 1.5 A, 800 V, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014560476
Артикул
IPN80R4K5P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 148,75 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.

Технические параметры

SeriesCoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)6W
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)80pF@500V
Maximum Drain Source Voltage800 V
Continuous Drain Current (Id)1.5A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.45 Ω
Drain Source On State Resistance3.8Ом
Maximum Continuous Drain Current1.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока1.5А
Рассеиваемая Мощность6Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе3.5V@20uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3.8Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5Ω@400mA, 10V

Техническая документация