Моя заявка (0)

IPN80R3K3P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Surface Mount

IPN80R3K3P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000921753
Артикул
IPN80R3K3P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS™
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 118 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction идеально подxодит для маломощныx SMPS-устройств, полностью удовлетворяя потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.

Технические параметры

SeriesCoolMOS™
Pin Count3
Вес, г0.01
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance3.3 Ω
Maximum Continuous Drain Current1.9 A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.8 Ом

Техническая документация