Моя заявка (0)

CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564513
Артикул
IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS™
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дизайн Infineon серии Cool MOS™ P7 устанавливает новый стандарт в области теxнологий super junction 800 В и сочетает в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.

Технические параметры

SeriesCoolMOS™
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6.3Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.0024 Ω
Drain Source On State Resistance2Ом
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность6.3Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация