Моя заявка (0)
IPN80R2K4P7ATMA1, MOSFETs LOW POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006209491
Артикул
IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
CoolMOS
Pin Count
3
Вес, г
0.12
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 95,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дизайн Infineon серии Cool MOS™ P7 устанавливает новый стандарт в области теxнологий super junction 800 В и сочетает в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.

Технические параметры

SeriesCoolMOS
Pin Count3
Вес, г0.12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6.3Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.0024 Ω
Drain Source On State Resistance2Ом
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность6.3Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация