IPN80R2K4P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000982851
- Артикул
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPN80R2K4P7, SP001664994
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 6.3Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0024 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 2Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом |