IPN80R2K0P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000883796
- Артикул
- IPN80R2K0P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 9 nC
- V(DS)
- 800 V
- P(tot)
- 6 W
- Series
- CoolMOS™
Цена по запросу
(от 134 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction идеально подxодит для маломощныx SMPS-устройств, полностью удовлетворяя потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.
Технические параметры
| Q(g) | 9 nC |
| V(DS) | 800 V |
| P(tot) | 6 W |
| Series | CoolMOS™ |
| Package | SOT-223 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS P7 |
| Вес, г | 0.01 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 2000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7 Ом |