Моя заявка (0)

IPN80R1K2P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Surface Mount

IPN80R1K2P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000883763
Артикул
IPN80R1K2P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Channel Type
N Channel
Package Type
SOT-223
Цена по запросу
(от 231 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS™ P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.01
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6.8Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance1.2 Ohm
Drain Source On State Resistance1Ом
Maximum Continuous Drain Current4.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4.5А
Рассеиваемая Мощность6.8Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом

Техническая документация