IPN70R750P7SATMA1, MOSFET транзистор TO261
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546497
- Артикул
- IPN70R750P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 121,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание MOSFET транзистор TO261
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Automotive | No |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 6.7Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 27 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.7W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 6700 |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 mO |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.62Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 700 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 60 |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 306 pF @ 400 V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 306 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 750 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 6.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.7Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 6.7 W |
| Другие названия товара № | IPN70R750P7S SP001664912 |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 620 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.62Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@470mA, 10V |