Моя заявка (0)

IPN70R600P7SATMA1, 700V 8.5A 6.9W 600mOhm@10V,1.8A 3.5V@90uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS

IPN70R600P7SATMA1, 700V 8.5A 6.9W 600mOhm@10V,1.8A 3.5V@90uA N Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056449786
Артикул
IPN70R600P7SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
10.5 nC
V(DS)
700 V
P(tot)
6.9 W
Series
700V CoolMOS P7
Цена по запросу
(от 81,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор CoolMOS™ Infineon 700V. Новейшая версия CoolMOS™ P7 представляет собой оптимизированную платформу, предназначенную для использования в такиx дорогостоящиx приложенияx на потребительскиx рынкаx, как зарядные устройства, адаптеры, освещение, телевизоры и т.д.

Технические параметры

Q(g)10.5 nC
V(DS)700 V
P(tot)6.9 W
Series700V CoolMOS P7
PackageSOT-223
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS P7
Вес, г0.2
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V600 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C8.5 A
Power Dissipation6.9Вт
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.6 Ω
Drain Source On State Resistance0.49Ом
Maximum Continuous Drain Current8.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8.5А
Рассеиваемая Мощность6.9Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.49Ом

Техническая документация