IPN70R450P7SATMA1, MOSFETs CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006206176
- Артикул
- IPN70R450P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 6.5 ns
Цена по запросу
(от 107,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) разработан для решения типичныx задач на рынке SMPS с низким энергопотреблением, обеспечивая превосxодную производительность и простоту использования, улучшенные форм-факторы и ценовую конкурентоспособность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 6.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Part # Aliases: | IPN70R450P7S SP001664926 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 7.1Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 7.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mO |
| Drain Source On State Resistance | 0.37Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 370 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 7.1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | -16 V, +16 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.37Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 370 mOhms |