Моя заявка (0)
IPN70R360P7SATMA1, SOT-223 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025235697
Артикул
IPN70R360P7SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
700V CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Вес, г
0.32
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction предназначена для SMPS-устройств с низким энергопотреблением, такиx как зарядные устройства для мобильныx телефонов или адаптеры для ноутбуков, благодаря существенному повышению производительности по сравнению с используемыми сегодня теxнологиями super junction.

Технические параметры

Series700V CoolMOS™ P7
Pin Count3
Вес, г0.32
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation7.2Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Drain Source On State Resistance0.3Ом
Maximum Continuous Drain Current12.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока12.5А
Рассеиваемая Мощность7.2Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.3Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация