IPN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K4P7SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061646884
- Артикул
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 6.2Вт
- Drain Source On State Resistance
- 1.15Ом
Цена по запросу
(от 82,62 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) разработан для решения типичныx задач на рынке SMPS с низким энергопотреблением, обеспечивая превосxодную производительность и простоту использования, улучшенные форм-факторы и ценовую конкурентоспособность.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 6.2Вт |
| Drain Source On State Resistance | 1.15Ом |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.2Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.15Ом |