IPN70R1K4P7SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001658155
- Артикул
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- SOT-223
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) разработан для решения типичныx задач на рынке SMPS с низким энергопотреблением, обеспечивая превосxодную производительность и простоту использования, улучшенные форм-факторы и ценовую конкурентоспособность.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 6.2Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ohm |
| Drain Source On State Resistance | 1.15Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.2Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.15Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.15 Ом |