CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014771780
- Артикул
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon Cool MOS™ - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 6.3Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.98Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.98Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |