Моя заявка (0)

IPN60R600PFD7SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Surface Mount

IPN60R600PFD7SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004150747
Артикул
IPN60R600PFD7SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Channel Type
N Channel
Package Type
SOT-223
Цена по запросу
(от 196 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolMOS™ PFD7 с суперпереxодом 600 В (IPN60R2K0PFD7S) дополняет линейку CoolMOS™ 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.01
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation7Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Drain Source On State Resistance0.517Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.517Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.517 Ом

Техническая документация