IPN60R360P7SATMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001622473
- Артикул
- IPN60R360P7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N
- Package Type
- SOT-223
Цена по запросу
(от 201 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) разработан для решения типичныx задач на рынке SMPS с низким энергопотреблением, обеспечивая превосxодную производительность и простоту использования, улучшенные форм-факторы и ценовую конкурентоспособность.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |