IPN60R2K1CEATMA1, MOSFET транзистор PG-SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070114890
- Артикул
- IPN60R2K1CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.3
Цена по запросу
(от 53,18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 3,7 А (Tc) 5 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-SOT223-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 800mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 5W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A(Tc) |