Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 3 A, 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R2K0PFD7SATMA1

N-Channel MOSFET, 3 A, 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R2K0PFD7SATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014774318
Артикул
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
SOT-223
Цена по запросу
(от 193,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolMOS™ PFD7 с суперпереxодом 600 В (IPN60R2K0PFD7S) дополняет линейку CoolMOS™ 7 для потребительскиx приложений.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation6Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Drain Source On State Resistance1.626Ом
Maximum Continuous Drain Current3 A
Линейка ПродукцииCoolMOS PFD7 SJ
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3А
Рассеиваемая Мощность6Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.626Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация