MOSFET IPN60R1K5PFD7SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998848
- Артикул
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 4.6 nC
- V(DS)
- 600 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 6 W
Цена по запросу
(от 144,58 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET дополняет линейку cool MOS 7 для потребительскиx приложений.
Технические параметры
| Q(g) | 4.6 nC |
| V(DS) | 600 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 6 W |
| Package | SOT-223 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Technology | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 1500 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.6 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Part # Aliases: | IPN60R1K5PFD7S SP004748876 |
| Power Dissipation | 6Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.6nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 169pF@400V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Drain Source On State Resistance | 1.23Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@40uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.23Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@700mA, 10V |