IPN60R1K0PFD7SATMA1, MOSFETs CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252017
- Артикул
- IPN60R1K0PFD7SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1.63
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 6Вт
Цена по запросу
(от 89,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CONSUMER
Технические параметры
| Вес, г | 1.63 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 6Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.84Ом |
| Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 31.3 W |
| Другие названия товара № | IPN60R1K0PFD7S SP005354000 |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.84Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |