Моя заявка (0)
IPN60R1K0CEATMA1, MOSFETs CONSUMER

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062067342
Артикул
IPN60R1K0CEATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
CoolMOS CE
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:CoolMOS CE
MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Fall Time:13 ns
Rise Time:8 ns
Tradename:CoolMOS
Вес, г0.12
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Part # Aliases:IPN60R1K0CE SP001434884
Supplier PackageSOT-223
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
Process TechnologyCoolMOS
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Operating Temperature - (??C)-40~150
Id - Continuous Drain Current:6.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Power Dissipation - (mW)5000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)13
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)13@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Rds On - Drain-Source Resistance:2.34 Ohms
Maximum Drain Source Voltage - (V)600
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)3.5
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Maximum Continuous Drain Current - (A)6.8
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)280@100V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)1000@10V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация