IPN50R950CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002233937
- Артикул
- IPN50R950CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.7mm
- Series
- CoolMOS CE
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 176 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Series | CoolMOS CE |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 0.83V |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 950 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |