MOSFET Transistor, 7.6 A PG-SOT223 IPN50R800CEATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977033
- Артикул
- IPN50R800CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 96,81 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS CE - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, впервые разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ).
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-SOT223 |
| Корпус | SOT223 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 3.7(Max) |
| Package Length | 6.7 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | CoolMOS CE |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 15.9 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.5 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 12.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12.4@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.2 |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 280@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 800@13V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |