IPN50R800CE, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 4,8А, 5Вт, PG-SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003174825
- Артикул
- IPN50R800CE
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-SOT223
- Mounting
- SMD
- Technology
- CoolMOS™ CE
- Вес, г
- 0.15
Цена по запросу
(от 98,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 4,8А, 5Вт, PG-SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | PG-SOT223 |
| Mounting | SMD |
| Technology | CoolMOS™ CE |
| Вес, г | 0.15 |
| Gate charge | 12.4nC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT223 |
| Drain current | 4.8A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.8Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@60uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |